Vishay Semiconductor Diodes Division - 8EWF10S

KEY Part #: K6451533

[26ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    8EWF10S
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 8EWF10S electronic components. 8EWF10S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 8EWF10S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    8EWF10S პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : 8EWF10S
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 8A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 270ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1000V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • 20ETF04FP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

    • 8EWF10S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • 8EWF12S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • VS-50WQ10FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

    • 30WQ10FNTR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.

    • 80EPF12

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.