Diodes Incorporated - DMN30H14DLY-13

KEY Part #: K6394069

DMN30H14DLY-13 ფასები (აშშ დოლარი) [323412ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11494
  • 2,500 pcs$0.11437

Ნაწილი ნომერი:
DMN30H14DLY-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN30H14DLY-13 electronic components. DMN30H14DLY-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN30H14DLY-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN30H14DLY-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN30H14DLY-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 300V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 210mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 96pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 900mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-89
პაკეტი / საქმე : TO-243AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ