ON Semiconductor - NTZD3152PT1G

KEY Part #: K6523204

NTZD3152PT1G ფასები (აშშ დოლარი) [861075ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04296
  • 4,000 pcs$0.04190

Ნაწილი ნომერი:
NTZD3152PT1G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NTZD3152PT1G electronic components. NTZD3152PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTZD3152PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTZD3152PT1G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NTZD3152PT1G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 430mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.5nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 175pF @ 16V
ძალა - მაქსიმუმი : 250mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-563, SOT-666
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-563

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.