Vishay Semiconductor Diodes Division - S1PJHM3/84A

KEY Part #: K6448815

S1PJHM3/84A ფასები (აშშ დოლარი) [1008099ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03669
  • 3,000 pcs$0.03416

Ნაწილი ნომერი:
S1PJHM3/84A
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA. Rectifiers 600volt 1.0amp
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1PJHM3/84A electronic components. S1PJHM3/84A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1PJHM3/84A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1PJHM3/84A პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S1PJHM3/84A
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
სერიები : eSMP®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 1A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 1.8µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 6pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-220AA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-220AA (SMP)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ