JAN1N3766R ფასები (აშშ დოლარი) [1431ცალი საფონდო]
- 1 pcs$30.39572
- 100 pcs$30.24450
- Ნაწილი ნომერი:
- JAN1N3766R
- მწარმოებელი:
- Microsemi Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N3766R electronic components. JAN1N3766R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N3766R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N3766R პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
JAN1N3766R
მწარმოებელი :
Microsemi Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
სერიები :
Military, MIL-PRF-19500/297
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard, Reverse Polarity
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
35A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.4V @ 110A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis, Stud Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-203AB, DO-5, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-5
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
ცხელი ნაწილები
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置