Infineon Technologies - SPB80N06S2-08

KEY Part #: K6409509

[257ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SPB80N06S2-08
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies SPB80N06S2-08 electronic components. SPB80N06S2-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB80N06S2-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPB80N06S2-08 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SPB80N06S2-08
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
    სერიები : OptiMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 55V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 58A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 96nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3800pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 215W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO263-3-2
    პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FCD620N60ZF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

    • RFD3055LESM9A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

    • FCD850N80Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

    • FCD5N60TM-WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

    • FDD6N50TM-WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

    • FDD10AN06A0

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.