Infineon Technologies - SPA20N60C3XKSA1

KEY Part #: K6403847

SPA20N60C3XKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [16068ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.56487

Ნაწილი ნომერი:
SPA20N60C3XKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - მასივები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies SPA20N60C3XKSA1 electronic components. SPA20N60C3XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPA20N60C3XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPA20N60C3XKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SPA20N60C3XKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
სერიები : CoolMOS™
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 20.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2400pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 34.5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-3-31 Full Pack
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AUIRFR8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8403

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8401

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • RJL5012DPP-M0#T2

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 500V 12A TO220.

  • SSM3K7002BF,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

  • SSM3J14TTE85LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.