Vishay Semiconductor Diodes Division - BAT54-HE3-08

KEY Part #: K6458495

BAT54-HE3-08 ფასები (აშშ დოლარი) [1672713ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02211
  • 3,000 pcs$0.02111
  • 6,000 pcs$0.01836
  • 15,000 pcs$0.01560
  • 30,000 pcs$0.01468
  • 75,000 pcs$0.01377
  • 150,000 pcs$0.01224

Ნაწილი ნომერი:
BAT54-HE3-08
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 200mA 30 Volt AUTO
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAT54-HE3-08 electronic components. BAT54-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT54-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT54-HE3-08 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAT54-HE3-08
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 30V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 800mV @ 100mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 5ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 25V
Capacitance @ Vr, F : 10pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 125°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAS70-00-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single

  • BAS40-00-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40 Volt 200mA AUTO

  • BAS40-00-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40 Volt 200mA

  • BAS70-00-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO