Comchip Technology - KBL410-G

KEY Part #: K6540386

KBL410-G ფასები (აშშ დოლარი) [70315ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.55607
  • 10 pcs$0.49127
  • 25 pcs$0.44369
  • 100 pcs$0.38825
  • 250 pcs$0.32227
  • 500 pcs$0.28480
  • 1,000 pcs$0.22484
  • 2,500 pcs$0.20985
  • 5,000 pcs$0.19936

Ნაწილი ნომერი:
KBL410-G
მწარმოებელი:
Comchip Technology
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBL. Bridge Rectifiers VRRM=1000V IF=4.0A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Comchip Technology KBL410-G electronic components. KBL410-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KBL410-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

KBL410-G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : KBL410-G
მწარმოებელი : Comchip Technology
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 4A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 1000V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, KBL
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : KBL

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GBPC3504W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 35 Amp

  • GBPC2502W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt

  • GBPC2510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt

  • DBL107G C1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

  • DBL106G C1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

  • TS25P07G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P. Bridge Rectifiers 25A 1000V Standard Bridge Rectif