Infineon Technologies - IRF7820TRPBF

KEY Part #: K6420074

IRF7820TRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [157735ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.23449
  • 4,000 pcs$0.22511

Ნაწილი ნომერი:
IRF7820TRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF7820TRPBF electronic components. IRF7820TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7820TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7820TRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF7820TRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1750pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ