Vishay Siliconix - SIE832DF-T1-E3

KEY Part #: K6408564

SIE832DF-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [583ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.69732

Ნაწილი ნომერი:
SIE832DF-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIE832DF-T1-E3 electronic components. SIE832DF-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE832DF-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIE832DF-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIE832DF-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3800pF @ 20V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 5.2W (Ta), 104W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 10-PolarPAK® (S)
პაკეტი / საქმე : 10-PolarPAK® (S)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ