Ნაწილი ნომერი :
SIE832DF-T1-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
77nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
3800pF @ 20V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
5.2W (Ta), 104W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
10-PolarPAK® (S)
პაკეტი / საქმე :
10-PolarPAK® (S)