Vishay Siliconix - SI7956DP-T1-E3

KEY Part #: K6523088

SI7956DP-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [52486ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.74498
  • 3,000 pcs$0.69732

Ნაწილი ნომერი:
SI7956DP-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7956DP-T1-E3 electronic components. SI7956DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7956DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7956DP-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7956DP-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 26nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
ძალა - მაქსიმუმი : 1.4W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.