IDV08E65D2XKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [56337ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.52681
- 10 pcs$0.47120
- 100 pcs$0.34768
- 500 pcs$0.28720
- 1,000 pcs$0.22674
- Ნაწილი ნომერი:
- IDV08E65D2XKSA1
- მწარმოებელი:
- Infineon Technologies
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Infineon Technologies IDV08E65D2XKSA1 electronic components. IDV08E65D2XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDV08E65D2XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDV08E65D2XKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
IDV08E65D2XKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
2.3V @ 8A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
40ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
40µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220-2
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
ES2AHM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD
-
EGP20B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
-
1N4585GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15
-
GP15M-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM
-
1N5060GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC. Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt Glass Passivated
ცხელი ნაწილები
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18
选择你的位置