Ნაწილი ნომერი :
SI7655ADN-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
225nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
6600pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
4.8W (Ta), 57W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-50°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerVDFN