Vishay Semiconductor Diodes Division - BY229-800-E3/45

KEY Part #: K6445962

[1928ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BY229-800-E3/45
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BY229-800-E3/45 electronic components. BY229-800-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BY229-800-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BY229-800-E3/45 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BY229-800-E3/45
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.85V @ 20A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 145ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 800V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : TO-220-2
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AC
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-8EWL06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

    • VS-6EWL06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

    • VS-8EWF12STR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VS-15EWH06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

    • VS-8EWS08STR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VT3080S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH