Ნაწილი ნომერი :
LSIC1MO120E0160
მწარმოებელი :
Littelfuse Inc.
აღწერა :
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
ტექნოლოგია :
SiCFET (Silicon Carbide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
22A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
57nC @ 20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
870pF @ 800V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247-3
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3