Ნაწილი ნომერი :
IRF737LCSTRR
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
300V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6.1A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
17nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
430pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D2PAK
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB