Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL41JHE3/97

KEY Part #: K6439433

RGL41JHE3/97 ფასები (აშშ დოლარი) [765063ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05102
  • 10,000 pcs$0.05076

Ნაწილი ნომერი:
RGL41JHE3/97
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 600 Volt 250ns
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL41JHE3/97 electronic components. RGL41JHE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL41JHE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL41JHE3/97 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RGL41JHE3/97
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 250ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-213AB, MELF (Glass)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DSS6-0025BS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 25V 6A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers 6 Amps 25V

  • DSEP6-06BS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6 Amps 600V

  • DLA10IM800UC

    IXYS

    DIODE GEN PURP 800V 10A TO252. Rectifiers 10 Amps 800V

  • APT30DQ120KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220. Diodes - General Purpose, Power, Switching FG, FRED, 1200V,TO-220, RoHS

  • S07G-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 400V 500MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M

  • S07D-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 200V 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M