HS1ML RFG ფასები (აშშ დოლარი) [1461272ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.02531
- Ნაწილი ნომერი:
- HS1ML RFG
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 1A SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and Thististors - SCRs - მოდულები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS1ML RFG electronic components. HS1ML RFG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS1ML RFG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HS1ML RFG პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
HS1ML RFG
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
-
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Sub SMA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
MBRB760-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 7.5 Amp 60 Volt
-
MBRB1045-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 45 Volt 10A Single 150 Amp IFSM
-
NSB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
MBRB760-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 7.5 Amp 60 Volt
-
NSB8MT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置