აღწერა :
GANFET TRANS 60V 90A BUMPED DIE
ტექნოლოგია :
GaNFET (Gallium Nitride)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
90A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 mOhm @ 31A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 16mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
16nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1780pF @ 30V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Die