Infineon Technologies - IPB065N15N3GATMA1

KEY Part #: K6407517

IPB065N15N3GATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [25146ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.63891

Ნაწილი ნომერი:
IPB065N15N3GATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB065N15N3GATMA1 electronic components. IPB065N15N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB065N15N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB065N15N3GATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB065N15N3GATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 130A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7300pF @ 75V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO263-7
პაკეტი / საქმე : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • IRFR210BTM_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK.