Vishay Siliconix - SI4384DY-T1-GE3

KEY Part #: K6412815

SI4384DY-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [13315ცალი საფონდო]

  • 2,500 pcs$0.29235

Ნაწილი ნომერი:
SI4384DY-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4384DY-T1-GE3 electronic components. SI4384DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4384DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4384DY-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4384DY-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.47W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5804TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

  • 2N7008

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

  • BS108ZL1G

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

  • IRLR4343TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

  • IRLR4343TRR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

  • NP20P04SLG-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET P-CH 40V 20A TO-252.