Renesas Electronics America - UPA2690T1R-E2-AX

KEY Part #: K6522114

UPA2690T1R-E2-AX ფასები (აშშ დოლარი) [445338ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09510
  • 3,000 pcs$0.09462

Ნაწილი ნომერი:
UPA2690T1R-E2-AX
მწარმოებელი:
Renesas Electronics America
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Renesas Electronics America UPA2690T1R-E2-AX electronic components. UPA2690T1R-E2-AX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UPA2690T1R-E2-AX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UPA2690T1R-E2-AX პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : UPA2690T1R-E2-AX
მწარმოებელი : Renesas Electronics America
აღწერა : MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N and P-Channel Complementary
FET თვისება : Logic Level Gate, 2.5V Drive
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 4.5nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 330pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 2.3W
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 6-PowerWDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-HUSON (2x2)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ