BAV17-TAP ფასები (აშშ დოლარი) [5313718ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.00735
- 50,000 pcs$0.00731
- Ნაწილი ნომერი:
- BAV17-TAP
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV17-TAP electronic components. BAV17-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV17-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV17-TAP პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BAV17-TAP
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
20V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
250mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 100mA
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
100nA @ 20V
Capacitance @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-35
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
175°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
S1FLD-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 200V 700MA DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3M
-
S1FLJ-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
-
RS07D-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 200V 500MA DO219AB. Rectifiers 200 Volt 0.7A 150ns
-
RS07J-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 500MA DO219AB. Rectifiers 600 Volt 0.7A 150ns
ცხელი ნაწილები
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97
选择你的位置