Infineon Technologies - 2PS18012E44G40113NOSA1

KEY Part #: K6532565

2PS18012E44G40113NOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [15ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2144.06652

Ნაწილი ნომერი:
2PS18012E44G40113NOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MODULE IGBT STACK A-PS4-1.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies 2PS18012E44G40113NOSA1 electronic components. 2PS18012E44G40113NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2PS18012E44G40113NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2PS18012E44G40113NOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 2PS18012E44G40113NOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MODULE IGBT STACK A-PS4-1
სერიები : PrimeSTACK™
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Three Phase Inverter
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 2560A
ძალა - მაქსიმუმი : 5600W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : -
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : -
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : -
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -25°C ~ 60°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.