Rohm Semiconductor - RJU002N06T106

KEY Part #: K6416917

RJU002N06T106 ფასები (აშშ დოლარი) [1089230ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03754
  • 3,000 pcs$0.03735

Ნაწილი ნომერი:
RJU002N06T106
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RJU002N06T106 electronic components. RJU002N06T106 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJU002N06T106, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJU002N06T106 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RJU002N06T106
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 18pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 200mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : UMT3
პაკეტი / საქმე : SC-70, SOT-323

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.