Sanken - RM 4Z

KEY Part #: K6441282

RM 4Z ფასები (აშშ დოლარი) [111333ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.34804
  • 10 pcs$0.30533
  • 25 pcs$0.27036
  • 100 pcs$0.23548
  • 250 pcs$0.20493
  • 500 pcs$0.17442
  • 1,000 pcs$0.13953
  • 2,500 pcs$0.12645
  • 5,000 pcs$0.11773

Ნაწილი ნომერი:
RM 4Z
მწარმოებელი:
Sanken
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - სკკ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Sanken RM 4Z electronic components. RM 4Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RM 4Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RM 4Z პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RM 4Z
მწარმოებელი : Sanken
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 950mV @ 3A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Axial
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-E4PU6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • STTH3010PI

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier