Ნაწილი ნომერი :
SIS478DN-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
398pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® 1212-8