Vishay Siliconix - SI3430DV-T1-E3

KEY Part #: K6420442

SI3430DV-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [195156ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18953
  • 3,000 pcs$0.16019

Ნაწილი ნომერი:
SI3430DV-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - მასივები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI3430DV-T1-E3 electronic components. SI3430DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3430DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3430DV-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI3430DV-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6.6nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.14W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-TSOP
პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ