IXYS - IXTN210P10T

KEY Part #: K6394941

IXTN210P10T ფასები (აშშ დოლარი) [2706ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$17.69040
  • 20 pcs$17.60239

Ნაწილი ნომერი:
IXTN210P10T
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - სკკ, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTN210P10T electronic components. IXTN210P10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN210P10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN210P10T პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTN210P10T
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
სერიები : TrenchP™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 210A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 740nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±15V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 69500pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 830W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ