GeneSiC Semiconductor - GB10SLT12-220

KEY Part #: K6444956

Დეტალური აღწერა:: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220 electronic components. GB10SLT12-220 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB10SLT12-220, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : GB10SLT12-220

მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor

აღწერა : DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Obsolete

დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.8V @ 10A

სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 40µA @ 1200V

Capacitance @ Vr, F : 520pF @ 1V, 1MHz

სამონტაჟო ტიპი : Through Hole

პაკეტი / საქმე : TO-220-2

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AC

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

RD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.
RD0106T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.
RD0504T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.
VS-50WQ06FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.
SRP600K-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
SRP600B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

ცხელი ნაწილები