Ნაწილი ნომერი :
RGL41KHE3/96
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
ნაწილის სტატუსი :
Discontinued at Digi-Key
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.3V @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
500ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-213AB, MELF (Glass)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-213AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C