Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP10BEHE3/54

KEY Part #: K6447639

[1356ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    EGP10BEHE3/54
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - TRIACs, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10BEHE3/54 electronic components. EGP10BEHE3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP10BEHE3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGP10BEHE3/54 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : EGP10BEHE3/54
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    სერიები : SUPERECTIFIER®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 950mV @ 1A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 100V
    Capacitance @ Vr, F : 22pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AL (DO-41)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast