Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41T-E3/1

KEY Part #: K6448428

[1086ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    GL41T-E3/1
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41T-E3/1 electronic components. GL41T-E3/1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41T-E3/1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GL41T-E3/1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : GL41T-E3/1
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
    სერიები : SUPERECTIFIER®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1300V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 1A
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 1300V
    Capacitance @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-213AB, MELF (Glass)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AB
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • DGS17-03CS

      IXYS

      DIODE SCHOTTKY 300V 29A TO252AA.

    • MMBD914_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • MMBD1401_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • GL41T-E3/1

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB.

    • VFT2045BP-M3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 20A ITO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V TrenchMOS

    • CUS02(TE85L,Q,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 1.0A IF 20A 0.45V VFM