Alliance Memory, Inc. - AS4C128M16D3A-12BAN

KEY Part #: K917677

AS4C128M16D3A-12BAN ფასები (აშშ დოლარი) [10053ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.44187
  • 10 pcs$3.16775
  • 25 pcs$3.10182
  • 50 pcs$3.09081
  • 100 pcs$2.77280
  • 250 pcs$2.68869
  • 500 pcs$2.55710
  • 1,000 pcs$2.46754

Ნაწილი ნომერი:
AS4C128M16D3A-12BAN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA. DRAM 2G 1.5V 800MHz 128M x 16 DDR3
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები, ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები, ინტერფეისი - სიგნალის ბუფერები, გამეორება, გაყოფა, ინტერფეისი - მოდულები, მეხსიერება - ბატარეები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აუდიო and ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3A-12BAN electronic components. AS4C128M16D3A-12BAN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C128M16D3A-12BAN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C128M16D3A-12BAN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C128M16D3A-12BAN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
სერიები : Automotive, AEC-Q100
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3
მეხსიერების ზომა : 2Gb (128M x 16)
საათის სიხშირე : 800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.425V ~ 1.575V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 96-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 96-FBGA (8x13)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • N25Q128A13EF840F TR

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN.

  • M25P32-VMW3GB

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SO.

  • M25P32-VMW3GB TR

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SO.

  • W25Q80JVSNIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC.

  • N25Q128A13ESE40F TR

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SOP2.

  • 71V321L25TFG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 64TQFP. SRAM 2Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM