Vishay Siliconix - SIA537EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6525434

SIA537EDJ-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [358565ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10315
  • 3,000 pcs$0.09744

Ნაწილი ნომერი:
SIA537EDJ-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIA537EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA537EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA537EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA537EDJ-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIA537EDJ-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N and P-Channel
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V, 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 16nC @ 8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 455pF @ 6V
ძალა - მაქსიმუმი : 7.8W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SC-70-6 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SC-70-6 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ