ON Semiconductor - FQD16N25CTM

KEY Part #: K6392654

FQD16N25CTM ფასები (აშშ დოლარი) [185139ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.19978
  • 2,500 pcs$0.18534

Ნაწილი ნომერი:
FQD16N25CTM
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 250V 16A D-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FQD16N25CTM electronic components. FQD16N25CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD16N25CTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD16N25CTM პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FQD16N25CTM
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 250V 16A D-PAK
სერიები : QFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 250V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 53.5nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1080pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 160W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ