GPA802HC0G ფასები (აშშ დოლარი) [366462ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.10093
- Ნაწილი ნომერი:
- GPA802HC0G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დენის მართვის მოდული, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation GPA802HC0G electronic components. GPA802HC0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GPA802HC0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GPA802HC0G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
GPA802HC0G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 8A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
AU3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A. Rectifiers 3A,600V, SMPC FER, Avalanche SM
-
AR3PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 800V 1.6A TO277A. Rectifiers 3A 800V
-
AU2PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,400V,FER, Avalanche SM
-
SS5P3-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 5A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 5.0 Amp 30 Volt
-
AU2PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,400V, SMPC,FER, Avalanche SM
-
AS4PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCH 1KV 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,1000V, SMPC,STD, Avalanche SM
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置