IXYS-RF - IXFK55N50F

KEY Part #: K6397771

IXFK55N50F ფასები (აშშ დოლარი) [3594ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$14.35303
  • 10 pcs$13.27493
  • 100 pcs$11.33741

Ნაწილი ნომერი:
IXFK55N50F
მწარმოებელი:
IXYS-RF
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 55A TO264.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS-RF IXFK55N50F electronic components. IXFK55N50F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFK55N50F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK55N50F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFK55N50F
მწარმოებელი : IXYS-RF
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 55A TO264
სერიები : HiPerRF™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 55A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6700pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 560W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-264 (IXFK)
პაკეტი / საქმე : TO-264-3, TO-264AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.