IXYS - IXFP10N80P

KEY Part #: K6395168

IXFP10N80P ფასები (აშშ დოლარი) [26989ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.68817
  • 50 pcs$1.67977

Ნაწილი ნომერი:
IXFP10N80P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 10A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFP10N80P electronic components. IXFP10N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP10N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP10N80P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFP10N80P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
სერიები : HiPerFET™, PolarHT™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2050pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ