Vishay Siliconix - SI4800BDY-T1-GE3

KEY Part #: K6403563

SI4800BDY-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [287068ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.12885
  • 2,500 pcs$0.10913

Ნაწილი ნომერი:
SI4800BDY-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4800BDY-T1-GE3 electronic components. SI4800BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4800BDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4800BDY-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4800BDY-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±25V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.3W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FQD4N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 3A DPAK.

  • FDD6690A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 12A DPAK.

  • FDD4685-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 32A DPAK.

  • FQD2N60CTM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 1.9A.

  • FDD3N50NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V DPAK.

  • FDD5N50NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V DPAK.