Toshiba Semiconductor and Storage - TK25E60X,S1X

KEY Part #: K6417021

TK25E60X,S1X ფასები (აშშ დოლარი) [23205ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.95671
  • 50 pcs$1.57065
  • 100 pcs$1.43104
  • 500 pcs$1.09937
  • 1,000 pcs$0.92718

Ნაწილი ნომერი:
TK25E60X,S1X
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X,S1X electronic components. TK25E60X,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK25E60X,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK25E60X,S1X პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK25E60X,S1X
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
სერიები : DTMOSIV-H
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 25A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2400pF @ 300V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 180W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.