Ნაწილი ნომერი :
IRF610LPBF
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
140pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3W (Ta), 36W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
I2PAK
პაკეტი / საქმე :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA