Vishay Siliconix - SIZ926DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523295

SIZ926DT-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [162374ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.22893
  • 3,000 pcs$0.22779

Ნაწილი ნომერი:
SIZ926DT-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3 electronic components. SIZ926DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ926DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ926DT-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIZ926DT-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
სერიები : TrenchFET® Gen IV
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 20.2W, 40W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-PowerPair® (6x5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SI1539DDL-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • AO8804L

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.