Infineon Technologies - AUIRF7732S2TR

KEY Part #: K6419769

AUIRF7732S2TR ფასები (აშშ დოლარი) [130912ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.28254
  • 4,800 pcs$0.25922

Ნაწილი ნომერი:
AUIRF7732S2TR
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies AUIRF7732S2TR electronic components. AUIRF7732S2TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7732S2TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF7732S2TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AUIRF7732S2TR
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 14A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.95 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1700pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta), 41W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DIRECTFET™ SC
პაკეტი / საქმე : DirectFET™ Isometric SC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ