Infineon Technologies - IPD95R1K2P7ATMA1

KEY Part #: K6403607

IPD95R1K2P7ATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [123674ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.29907

Ნაწილი ნომერი:
IPD95R1K2P7ATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 950V 6A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPD95R1K2P7ATMA1 electronic components. IPD95R1K2P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD95R1K2P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD95R1K2P7ATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPD95R1K2P7ATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 950V 6A TO252
სერიები : CoolMOS™ P7
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 950V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 140µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 478pF @ 400V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 52W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO252-3
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FQD1N60CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 1A DPAK.

  • FQD6N25TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.

  • FDD5612

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD6612A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK.

  • FQD12N20LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 9A DPAK.

  • FDD8N50NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK.