BYV26DGP-E3/73 ფასები (აშშ დოლარი) [674951ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.05480
- 2,000 pcs$0.05050
- 6,000 pcs$0.04744
- 10,000 pcs$0.04438
- Ნაწილი ნომერი:
- BYV26DGP-E3/73
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYV26DGP-E3/73 electronic components. BYV26DGP-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV26DGP-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYV26DGP-E3/73 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BYV26DGP-E3/73
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
სერიები :
SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
2.5V @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-204AC, DO-15, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-204AC (DO-15)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
C3D04060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A
-
-
BAS21E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A
-
BAT64E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A
-
MMBD1201
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast
ცხელი ნაწილები
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置