Vishay Siliconix - SI4866DY-T1-E3

KEY Part #: K6396482

SI4866DY-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [83104ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.47051
  • 2,500 pcs$0.44082

Ნაწილი ნომერი:
SI4866DY-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4866DY-T1-E3 electronic components. SI4866DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4866DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4866DY-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4866DY-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 30nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.6W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMN2028UVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26.

  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.