S1M-E3/5AT ფასები (აშშ დოლარი) [1784418ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.02073
- 7,500 pcs$0.01777
- 15,000 pcs$0.01511
- 37,500 pcs$0.01422
- 52,500 pcs$0.01333
- Ნაწილი ნომერი:
- S1M-E3/5AT
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30A IFSM @ 8.3ms
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1M-E3/5AT electronic components. S1M-E3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1M-E3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1M-E3/5AT პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
S1M-E3/5AT
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 1A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
1.8µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-1N3624R
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA. Rectifiers 1000 Volt 16 Amp 400 Amp IFSM
-
-
SS2FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
-
-
SS1FL3HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified
-
SS1FH6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMF SCHOTTKY RECT
ცხელი ნაწილები
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置