Diodes Incorporated - ZXMN6A11GTC

KEY Part #: K6413657

[13024ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    ZXMN6A11GTC
    მწარმოებელი:
    Diodes Incorporated
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A11GTC electronic components. ZXMN6A11GTC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A11GTC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMN6A11GTC პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : ZXMN6A11GTC
    მწარმოებელი : Diodes Incorporated
    აღწერა : MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 5.7nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 330pF @ 40V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2W (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-223
    პაკეტი / საქმე : TO-261-4, TO-261AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5805

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5804

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.